德州儀器的NexFET N通道功率 MOSFET實現業界最低電阻

水杉而


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發表時間:2015-01-22 16:28:31 +0800

德州儀器的 NexFET N 通道功率 MOSFET 實現業界最低電阻
採用 5 公釐 x 6 公釐 QFN 封裝並具極低 Rdson 的 25 V 和 30 V 裝置

德州儀器 (TI) 宣佈推出 NexFET 產品線的 11 款新型 N 通道功率 MOSFET,包括擁有業界最低導通電阻 (Rdson) 且採用 QFN 封裝的 25 V CSD16570Q5B 和 30 V CSD17570Q5B,其適合熱插拔和 ORing 應用。此外,TI 針對低電壓電池供電型應用的新型 12-V FemtoFET CSD13383F4 在採用 0.6 公釐 x 1 公釐的纖巧型封裝情況下實現了比同類競爭裝置低 84% 的極低電阻。

CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET MOSFET 可在較高電流條件下提供較高的電源轉換效率,同時在電腦伺服器和電信應用中確保安全的運作。例如:25 V CSD16570Q5B 支援 0.59 mΩ的最大 Rdson,而 30 V CSD17570Q5B 則實現了 0.69 mΩ的最大 Rdson。請閱讀一篇部落格,題為「針對採用熱插拔和 ORing FET 控制器設計的功率 MOSFET 安全工作區 (SOA) 曲線」。下載一款採用 TI CSD17570Q5B NexFET 的 12 V、60 A 熱插拔參考設計。

TI 的新型 CSD17573Q5B 和 CSD17577Q5A 可與針對 DC/DC 控制器應用的 LM27403 搭配使用,以構成一款完整的同步降壓型轉換器解決方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET 功率 MOSFET 則可與諸如 TPS24720 等 TI 熱插拔控制器配套使用。請下載應用筆記「穩固的熱插拔設計」,瞭解如何將一個電晶體選用為傳輸元件,以及怎樣在所有可能的情況下確保安全運作。

供貨情況、封裝和價格

FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 產品可透過 TI 及其授權販售商批量採購,前者建議售價為每一千顆美金 0.10 元,後兩者的建議售價為每一千顆美金 1.08 元。

關於 TI 的 NexFET 功率 MOSFET

TI 的 NexFET 功率 MOSFET 改善了高功率計算、網路、工業和電源應用中的能源效率。此類高頻、高效率的類比功率 MOSFET 讓系統設計人員能夠運用現有最先進的 DC/DC 電源轉換解決方案。

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  • 下載 NexFET 功率 MOSFET 選擇指南。
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德州儀器的NexFET N通道功率 MOSFET實現業界最低電阻
水杉而 於 2015-01-22 16:30:08 +0800 修改文章內容
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